大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于中方反制三家美企的问题，于是小编就整理了1个相关介绍中方反制三家美企的解答，让我们一起看看吧。
光刻机断供，光刻胶断供，半导体国产替代能不能打？
以我看国产替代必须在近几年实现，因为国家把研制高科技技术方面的投资列为头等大事，每年投资几千亿，从祖国的高科技产业链国产化之后，外国的芯片等公司都得破产，因为中国的芯片产业能白菜价出售，国外的就不能，因为他们成本太高。
能不能打都得打！
高端光刻机禁售，高端光刻胶禁售，先进制程芯片限制。。。还有很多东西呢
特种气体，大尺寸硅片，清洗除胶等设备，都被限制了，而且是欧美日本等联合起来限制中国半导体产业。
EDA软件也是问题，高端人才更是问题。中国半导体产业困难重重。
没有退路，给钱妥协都不行，必须自力更生独立自主埋头苦干全面发展。
弯道超车思路要不得，没有弯道！投机取巧糊弄一时解决不了根本问题。
中国人必须行！
中央科技委员会的成立和科技部重组，举国力量，攻坚克难，一定能行。
再给我国半导体产业十年左右发现时间，2035年之前就可以和美帝国主义极其走狗们掰手腕！
中国人能做好的洽洽是被西方封锁的东西。中国半导体在六、七十年代是不错的，正是因为依赖了西方产品而逐渐落后了。只我们坚定信心，持之以恒搞研发，我相信，在不久的将来，中国半导体产业一定能赶上并超越西方国家。
光刻机7um以下暂时对我们是短板。米限制的是3um及以下芯片，对华为等损失较大。目前世界上用途最广，用量最大的是14um及以上产品，7um上已攻破，也只是产能问题。米国在14um上因长期放弃生产，这方面是短板，世界上我们产能占优势。14um芯片在军工、卫星、导弹及汽车等上先进，夠用。老米都得进口中国的。
中国湿刻机是世界最先进的。台积电在用。
光刻胶已研究成功几年，只是量产未全跟上，部分还得从日韩进口。卡不到我们。芯片设计、封装中国不落后。
芯片生产路綫不只荷兰，台积电那一种，国内正集中各研究单位与相关大专院校攻关，希望的暑光不久将显现。
我们也有反制措施，商务部公佈稀土金属对美断供，F35一架用稀土量很大，美有稀土资源，但高含量少，生产提练技朮还得求中国，要攻克此技朮，5一10年再说。另，环保对美困挠也大。美在我们宣佈反制后，虽然可从其盟友转购，美除成本增加外，我们还有办法让老米难受。
以上内容可从国内各主流媒体“科技栏”查到。
能。肯定能。光刻机，光刻胶这些都能够克服。只是时间长短的问题。问题是肯定能够解决的。
光刻机作为芯片产业的核心装备，有人称它为“人类最精密复杂的机器”。同时，光刻机也被称为半导体工业皇冠上的明珠。光刻机产业链主要包括上游设备及材料、中游光刻机生产及下游光刻机应用三大环节。光刻机技术极为复杂，在所有半导体制造设备中技术含量最高。主要涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，生产一台光刻机往往涉及到上千家供应商。
目前，光刻机市场竞争格局明确，主要由阿斯麦、日本尼康和佳能三家把持，其中阿斯麦更是全球绝对龙头，市占率83.3%，几乎垄断了高端光刻机（EUV）市场。日本尼康和佳能产品主要为中低端机型。国产光刻机领域中，上海微电子一枝独秀。国产光刻机市场前景广阔，同时，为了避免在芯片产能爬坡时被外界的设备供应“卡脖子”，国产光刻机正在逐步突破。近年来，我国科技取得了巨大突破，五年内有望解决高端芯片短缺问题。
现代社会离不开芯片的支持，任何的智能终端产品都需要搭载芯片，而光刻机就是制造芯片的重要工具。在芯片制造过程中，需要将设计好的芯片图案复刻在晶圆表面，但即便是28nm，14nm的成熟芯片也会集成几十亿根晶体管。如何在有限的单位面积内曝光更多的晶体管数量，让每根晶体管纵横交错，甚至在上百个层级中错落有致，这就需要光刻机运用深紫外或极紫外光源来实现了。以EUV光刻机为例，波长为13.5nm，运用多重曝光可以轻松完成7nm及以下的高端芯片制造。只不过目前只有荷兰ASML一家公司掌握EUV光刻机量产技术，也是许多国家争相突破和发展的目标。
“10nm”“7nm”“5nm”这些词大家想必都不陌生。2018年，中微半导体成功研制7nm的刻蚀机，这是国产造芯的一大进步。（但是成功研制刻蚀机并不代表我们就有能够制造7nm制程的芯片的实力，原因后面会讲到。）这些数字指的是什么？为什么我们需要所谓7nm的光刻机呢？
芯片界有一个著名的定律——摩尔定律，即集成电路上可以容纳的晶体管数目大约每24个月增加一倍，当然对应的理论性能也能增加一倍。但如何在同样尺寸的芯片上增加晶体管数量呢？当然就是把晶体管做小，提高晶体管密度。
“7nm”中的数字最初指的就是晶体管中的沟道长度，它也是区分半导体加工技术换代的重要标志（当然现在的命名更多的是代表技术迭代，其实是要长于7nm的）。想把晶体管越做越小，自然需要更精密的刻刀——光刻机，所谓7nm光刻机就是光刻机能刻蚀的最大分辨率。
除了光学设计部分的难题，一台光刻机需要实现的还有大量挑战极限的事情。比如镜片吸收光会产生热量，因而要对系统进行冷却，那如何解决过程中的振动导致精度问题呢?高分辨率的光刻自然需要高分辨率的光刻胶，如何制备呢？锡微流体如何精确控制大小与流速？整个体系如何确保高精密的机械控制？如何保证整体的可靠性呢？这一切问题都需要系统中任一部分完美配合才能达到，因此EUV光刻机要比你想象的大——大约一辆公共汽车那么大。整个机器包含10万个部件和2公里长的电缆。每台机器发货需要40个集装箱、3架货机或者20辆卡车。
而且，要制造芯片仅有一台光刻机可不够，它的工作环境非常挑剔。首先光刻需要的房间全部为纯净的黄光，因为短波长的光会造成光刻胶变性，无法实现功能。因此黄光对于光刻，就像暗房对于胶片一样。此外，光刻所需的无尘环境要求每立方米的空气中不能有超过10个颗粒，并且颗粒大小小于0.5微米，每小时要净化30万立方米的空气。厂房对地基要求也很严格，不能有任何微小的振动，因而某种意义上讲厂房需要类似“悬浮”。光刻需要的电能也达到非常恐怖的量级，一台EUV工作24小时，耗电量达到3万度。这就是为什么我们拥有了7nm的刻蚀能力，也不等于能够制造7nm的芯片。毫不夸张地说，光刻机是在挑战人类文明的极限，是人类工艺的巅峰之作。
02光 刻 胶
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，在半导体工业、PCB、平板显示等领域得到广泛应用。目前，全球缺芯背景下晶圆厂产能扩张正逐步迎来落地，半导体光刻胶市场需求稳步向上。光刻胶同样是半导体行业的关键技术之一，属于原材料的一种，而且和光刻机的联系非常密切。光刻胶作为一种光敏化学材料，需要涂抹在晶圆表面，用于保护衬底基座，并且在接收光刻机的曝光光源时承担媒介的作用，将芯片图案转移到晶圆上。
我国光刻胶产业链中，上游主要为原材料及设备，包括树脂、溶剂、单体、光引发剂、生产设备以及检测设备等；中游为光刻胶，主要包括PCB光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶；下游为应用领域，光刻胶广泛应用于PCB、半导体、面板显示、芯片等。目前，光刻胶生产制造主要被日本JSR、东京应化、信越化学、住友化学等制造商所垄断，尤其在高分辨率的KrF和ArF光刻胶领域，其核心技术基本由美国和日本制造商所掌握。中国本土企业在光刻胶市场的份额较低，与国外光刻胶制造商仍存在差距。数据显示，东京应化市场占比最大达27%，杜邦、JSR、住友化学市场占比分别为17%、13%、13%。
到此，以上就是小编对于中方反制三家美企的问题就介绍到这了，希望介绍关于中方反制三家美企的1点解答对大家有用。
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